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大面积无压烧结银的主要成分:纳米银粉、有机载体等,可以栽无压的条件下焊接10mm*10mm的大芯片,也可以焊接更大面积的芯片。大面积烧结银的导热系数为: 200W/m·K, (激光闪射法);剪切强度为60 (MPa) 5*5mm (金-金,25℃)。大面积烧结银适用芯片尺寸≦8×8mm; 5. 对于芯片尺寸≦4×4mm,湿胶厚度 50-80μm;芯片尺寸 5×5 ~ 8×8mm,湿胶厚度 90-120μm。
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