8*8烧结银日本烧结银替代CLIP烧结银

大面积无压烧结银的主要成分：纳米银粉、有机载体等，可以栽无压的条件下焊接10mm*10mm的大芯片，也可以焊接更大面积的芯片。

大面积烧结银的导热系数为： 200W/m·K， （激光闪射法）；剪切强度为60 (MPa) 5*5mm （金-金，25℃）。

大面积烧结银适用芯片尺寸≦8×8mm；
5. 对于芯片尺寸≦4×4mm，湿胶厚度 50-80μm；芯片尺寸 5×5 ~ 8×8mm，湿胶厚度 90-120μm。