二 AS9385加压烧结银工艺流程:
1 清洁粘结界面
2 界面表面能太低,建议增加界面表面能
3 粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽
4 一个界面涂布烧结银时,涂布的要均匀
5 另外一个界面放烧结银上时,建议加一点压力到上界面压一下
6 预烘阶段:150度20-30分钟,界面是铜的基底建议氮气保护(金或者银除外)
7 预压阶段:150度加压0.5-1MPa,时间为:1-3秒;
8 本压阶段:220-280度加压10-30MPa,时间2-6分钟;
9 烧结结束时,建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。
三 其他建议:
善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现:随烧结温度升高和压力加大,烧结体密度和硬度逐渐增大,尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间,增大的趋势更加明显;与此同时,烧结温度越高,烧结银块体的热导率也跟着增大,280℃烧结银的热导率已达到276W/(m·K)。
烧结银sinter paste烧结机理
纳米粉末颗粒烧结不同于传统冶金,是将纳米金属颗粒 在低于其块体金属熔点的温度下连接形成块体金属烧结体的现象,是一个复杂的物理、化学和冶金过程。 它的目的是将粉末颗粒通过原子扩散连接的方法转变成块状材料。 纳米银的烧结过程中,一个重要的理论是固态烧结的扩散机制。 纳米银低温烧结机制属于固相烧结,是通过原子间的扩散作用而形成致密化的连接,根据扩散而实现的动力学过程。从热力学的角度来分析,善仁新材的银颗粒之间的烧结过程其实就是系统表面自由能逐渐降低的过程。
烧结过程可分为初期、中期、末期三个阶段。
个阶段(烧结初期),颗粒之间逐渐通过点开始接触,并逐渐聚合形成烧结颈,这是通过原子间扩散作用而逐渐长大并导致的颗粒之间距离的缩小。 随着颗粒之间形成的颈部开始长大变粗并形成晶界,晶界滑移并带动晶粒生长,则进入该烧结过程中的第二阶段(烧结中期)
5导电性不同:无压烧结银的体积电阻一般会在10-6Ω.CM级别,AS9375可以达到4*10-610-6Ω.CM,只比纯银的导电性低60%;而普通导电银胶的导电性一般会在10-4Ω.CM级别。
6 粘结器件不同:烧结银一般粘结大功率器件,比如第三代半导体,大功率LED,射频器件等;导电银胶粘结普通的代集成电路封装,对导电导热效果要求不高的界面等。