有压烧结银日本替代有压烧结银功率半导体烧结银

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150°C以上的操作温度、更高的功率密度和更长的使用寿命是电子应用行业的主要趋势。这就需要能满足更高熔化温度，更强抗疲劳强度，高热导率并且低电阻率的烧结银连接材料AS8385。

有压烧结银AS9385烧结后的剪切强度为93MPA，而竞争对手的剪切强度为65-70MPA，提高了器件的可靠性。

AS9300系列烧结银膏:包括9330半烧结银，用于裸芯片封装；9355银玻璃胶粘剂，用于陶瓷和金属器件的密封；9375无压烧结银,用于激光器件和宽禁带封装；9385有压烧结银,9395有压烧结银膜，用于宽禁带封装

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