全烧结银美国烧结银替代芯片顶部烧结银

AS9378主要应用领域：第三代功率半导体器件、大功率发光二极管、大功率芯片、光通讯 TO 器件、大功率模块和其他需要高导热、导电和高强度粘接的场合。

大面积无压烧结银的主要成分：纳米银粉、有机载体等，可以栽无压的条件下焊接10mm*10mm的大芯片，也可以焊接更大面积的芯片。

大面积烧结银的烘烤曲线
1）从室温升温至 80℃，升温速率 3℃/min。在 80℃保温 40 分钟；
2）从 80℃升温至 130℃，升温速率 3℃/min。在 130℃保温 40 分钟；
3）从 130℃升温至 200℃，升温速率 5℃/min。在 200℃保温 120 分钟；
4）降温时间 60

大面积烧结银AS9378的样本提供的技术参数仅供参考，它们会随不同的工况条件，如设备类型、材质、工艺条件等改变。
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