善仁烧结银三代半烧结银中国烧结银

现有的基板铜层的贵金属镀层也增加了成本；散热新材开发的 AS9385有压纳米烧结银可以焊接裸铜，大大降低了客户的生产成本；

现有的银烧结技术需要一定的辅助压力，高辅助压力易造成芯片的损伤；善仁新材的有压烧结银AS9375可以无压烧结；

现有的银烧结预热、烧结整个过程长达60分钟以上，生产效率较低；加压烧结银AS9385整个烧结过程可以缩短到20分钟。

现有的银烧结技术得到的连接层，其内部空洞一般在微米或者亚微米级别，善仁新材的烧结银无论是有压烧结银还是无压烧结银都没有空洞。

善仁新材建议：烧结温度、烧结压力、烧结气氛都对会银烧结环节产生较大影响，这就需要的设备来配合一起解决这些问题。

随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）越来越多的应用在更加高温、高压和高频的环境，相应的封装材料和结构，尤其是芯片-基板的互连，在导热、导电和可靠性方面提出了更为严苛的要求。