纳米烧结银膏广东烧结银碳化硅烧结银

随着新一代IGBT芯片及功率密度的进一步提高，对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高，特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。

传统钎焊料熔点低、导热性差，难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件（如碳化硅和氮化镓等）的快速发展，对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术，在功率模块封装中的应用受到越来越多的关注。

①烧结连接层成分为银，具有的导电和导热性能；②由于银的熔点高达（961℃），将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应，具有的可靠性；

③AS9385所用纳米银材料具有和传统软钎焊料相近的烧结温度；④烧结材料不含铅，属于环境友好型材料，并且避免清洗的过程，节省了时间，降低了成本。

相对于焊料合金，银烧结技术可以更有效的提高大功率硅基IGBT模块的工作环境温度及使用寿命。目前，AS9385银烧结技术已受到高温功率电子领域的广泛关注，它特别适合作为高温SiC器件等宽禁带半导体功率模块的芯片互连界面材料。

2.银烧结技术原理
AS9385银烧结技术是一种对微米级及以下的银颗粒在250℃以下进行烧结，通过原子间的扩散从而实现良好连接的技术。所用的烧结材料的基本成分是银颗粒，根据状态不同，烧结材料一般为烧结银膏工艺为：AS9385烧结银膏印刷印刷——预热烘烤——芯片贴片——加压烧结；