一 AS9375无压烧结银工艺流程:
1 清洁粘结界面
2 界面表面能太低,建议增加界面表面能
3 粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽
烧结过程可分为初期、中期、末期三个阶段。
个阶段(烧结初期),颗粒之间逐渐通过点开始接触,并逐渐聚合形成烧结颈,这是通过原子间扩散作用而逐渐长大并导致的颗粒之间距离的缩小。 随着颗粒之间形成的颈部开始长大变粗并形成晶界,晶界滑移并带动晶粒生长,则进入该烧结过程中的第二阶段(烧结中期)
SHAREX善仁新材建议:纳米银烧结过程中,在温度较低的条件下,原子间发生表面扩散、表面晶格扩散和气相迁移,通过晶粒生长形成烧结颈,但是对烧结的致密化没有影响。 在高温下发生晶界扩散、晶界晶格扩散以及塑性流动,利于烧结结构的收缩和致密化。
无压烧结银和导电银胶的区别
1 烧结温度不同:AS9375烧结银是通过纳米银颗粒的特的表面能,在不需要任何压力的情况下,在普通的烤箱中加热升温到160度就可以烧结;普通的导电银胶可以在更低的温度下固化,比如AS6080导电胶可以在90度固化。
4 导热系数不同:无压烧结银导热系数很轻松的可以达到导热系数大于100W/m.K,而普通导电银胶的导热系数有的没有导热性,有的导热系数会在几W,据笔者所知,导电银胶的导热系数达到20多W就算很高了。
对于第三代半导体封装,射频器件,功率器件,大功率芯片封装来说,善仁新材的无压烧结银AS9375表现出了传统解决方案所没有的优势。