银烧结工艺美国银烧结替代北京银烧结

银烧结，就是纳米银颗粒在一定温度和压力烧结情况下，能让银颗粒进行固体之间的扩散，后就形成这样一个微观的多孔状的结构，因为我们用了烧结银的结构，所以现在主流的碳化硅模块的应用都和我们有相关的银烧结项目。

顶部连接-DTS（die top system）预烧结银焊片GVF9800：顶部连接这块大部分材料和我们刚才说的烧结银的银膏、银膜、混合烧结这些都是可以用的，但是传统的工艺在在做芯片顶部连接时总会遇到一些局限。针对这些问题善仁新材开发出了一款DTS预烧结银焊片，根据芯片尺寸把焊片切割好了以后，贴到芯片顶部，后面的工艺就会非常容易实现，吸嘴把预成型的烧结银焊片吸起来，贴到芯片顶部，在一定温度下进行压力烧结，就可以很好地解决碳化硅用现有工艺的大规模生产问题。

善仁新材的烧结银可以进行大面积的烧结，50*50mm面积用湿法烧结都没有问题。进行-40度到175度冷热冲击循环，基本上看不到任何开裂的表现。