目前尽可能从机械方面集成电力电子系统所有的功能,碳化硅、氮化镓(射频/非射频)模块封装也向着更高的集成度方向发展。
个难题:烧结银膏技术
在芯片与基板的连接中,传统有基板焊接功率模块中,焊接连接往往是模块上的机械薄弱点。
与传统的高温无铅钎料相比,AS9385有压银烧结技术烧结连接层成分为银,具有的导电和导热性能,由于银的熔点高达961℃,将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应,具有的可靠性,且其烧结温度和传统软钎焊料温度相当。
相比焊接模块,加压烧结银的银烧结技术对模组结构、使用寿命、散热产生了重要影响,采用银烧结技术可使模块使用寿命提高5-10倍,
连接温度和辅助压力均有明显下降,扩大了工艺的使用范围。在银烧结技术中,为了防止氧化和提高氧化层的可靠性,
在银烧结技术中,为了防止氧化和提高氧化层的可靠性,需要在基板裸铜表面先镀镍再镀金或镀银,同时烧结温度控制和压力控制也是影响功率模组质量的关键因素。