基于以上两款焊料的不足,烧结银产品应运而生,烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题,具有导热系数高,剪切强度大,生产,无铅化、免清洗等特点,是第三代半导体封装的理想焊接材料。善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现:随烧结温度升高和压力加大,烧结体密度和硬度逐渐增大,尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间,增大的趋势更加明显;与此同时,烧结温度越高,烧结银块体的热导率也跟着增大,280℃烧结银的热导率已达到266W/(m·K)。
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