广东烧结银Alpha纳米烧结银替代烧结银膏

来源：善仁（浙江）新材料科技有限公司 时间：2024-11-10 16:39:15 [举报]

目前电子封装中常用的无铅焊料熔点低于250℃，适用于低于150℃的服役温度。然而，在175-200℃乃至更高的使用温度下，这些连接层的性能将下降甚至熔化，严重影响模块的正常运行和长期可靠性。

2018年标志性的转变---使用碳化硅MOSFET替换传统硅基IGBT于主驱逆变器中，为碳化硅技术在电动汽车中的广泛应用奠定了基础。此后，多家国内新能源汽车品牌纷纷投身碳化硅器件的研发应用。新技术的不断涌现，如800V高压快充，以及新能源汽车市场的持续扩张，促进了碳化硅的飞速发展。

功率模块封装技术的重要趋势之一是在功率模块中越来越多地使用碳化硅MOSFET作为Si IGBT的替代品，特别是在电动车的应用中。这导致了对能够承受更高工作温度的功率模块封装材料的日益增长的需求，例如银烧结芯片粘接、的低杂散电感电气互连、Si3N4-AMB衬板、结构化底板以及高温稳定的封装材料。

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