DTS烧结银系统DTS+TCB预烧结工艺广东DTS

来源：善仁（浙江）新材料科技有限公司 时间：2024-10-06 02:30:37 [举报]

终端应用市场对于率、高功率密度、节能的系统设计需求日益增强，与此同时，各国能效标准也不断演进，在此背景下，SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性，正在不同的应用领域发光发热。

在成型技术也相当困难，由于电镀银是局部镀银，相较于全镀，部分镀银技术很难，做模具，且放置芯片处用局部银，一个导线架搭两个芯片，芯片局部银，其他引线框架用镍钯金，材料差异对引线框架制作是很大的技术挑战。

单管封装中引入扩散焊“Diffusion Soldering”，省了芯片与lead frame之间的焊料，优化了器件热阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET单管为例，基于GVF预烧结银焊片，相比当前焊接版的TO247-3/4L，可降低约25%的稳态热阻Rth(j-c)，和约45%的瞬态热阻。

目前，客户存的大痛点是键合时良率低，善仁新材推出的DTS预烧结焊片优势是：提高芯片的通流能力和功率循环能力，保护芯片以实现高良率的铜线键合。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法为：Pick & Place；

在能源效率新时代，SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景，接下来将逐步打开更大的发展空间。

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