高剪切强度烧结银德国烧结银替代北京烧结银

来源：善仁（浙江）新材料科技有限公司 时间：2024-07-03 08:12:22 [举报]

随着新一代IGBT芯片及功率密度的进一步提高，对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高，特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。

在这种烧结过程中，在适当的压力、温度和时间条件下，经过持续加热，有压烧结银AS9385由粉末形态变为固体结构。与传统焊接材料相比，这种技术产生的烧结键更可靠，能够提高器件的性能和寿命。

①烧结连接层成分为银，具有的导电和导热性能；②由于银的熔点高达（961℃），将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应，具有的可靠性；

芯片转印是指将芯片在银膜上压一下，利用芯片锐利的边缘，在银膜上切出一个相同面积的银膜并粘连到芯片背面。

以AS9385有压烧结银膏为例，在烧结过程中，银颗粒通过接触形成烧结颈，银原子通过扩散迁移到烧结颈区域，从而烧结颈不断长大，相邻银颗粒之间的距离逐渐缩小，形成连续的孔隙网络，随着烧结过程的进行，孔洞逐渐变小，烧结密度和强度显著增加，在烧结后阶段，多数孔洞被完全分割，小孔洞逐渐消失，大空洞逐渐变小，直到达到终的致密度。

烧结得到的连接层为多孔性结构，孔洞尺寸在微米及亚微米级别，连接层具有良好的导热和导电性能，热匹配性能良好。

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