加压烧结银浙江烧结银heraeus烧结银替代

目前电子封装中常用的无铅焊料熔点低于250℃，适用于低于150℃的服役温度。然而，在175-200℃乃至更高的使用温度下，这些连接层的性能将下降甚至熔化，严重影响模块的正常运行和长期可靠性。

AS9378烧结银的印刷性好：在大面积上进行印刷要求银膏的印刷性要足够好，需要调整银膏的触变性和黏度以适应大面积印刷。

功率模块封装技术的重要趋势之一是在功率模块中越来越多地使用碳化硅MOSFET作为Si IGBT的替代品，特别是在电动车的应用中。这导致了对能够承受更高工作温度的功率模块封装材料的日益增长的需求，例如银烧结芯片粘接、的低杂散电感电气互连、Si3N4-AMB衬板、结构化底板以及高温稳定的封装材料。