来源:善仁(浙江)新材料科技有限公司 时间:2024-05-18 05:46:40 [举报]
DTS+TCB预烧结银焊盘工艺提高功率器件通流能力和功率循环能力
在新能源汽车、5G通讯、光伏储能等终端应用的发展下,SiC/GaN等第三代半导体材料水涨船高,成为时下火爆的发展领域之一。
终端应用市场对于率、高功率密度、节能的系统设计需求日益增强,与此同时,各国能效标准也不断演进,在此背景下,SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性,正在不同的应用领域发光发热。
在成型技术也相当困难,由于电镀银是局部镀银,相较于全镀,部分镀银技术很难,做模具,且放置芯片处用局部银,一个导线架搭两个芯片,芯片局部银,其他引线框架用镍钯金,材料差异对引线框架制作是很大的技术挑战。
众所周知,在单管封装中,影响器件Rth(j-c)热阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的导热率为370W/(m.K),远IGBT的Si(124W/(m.K)),甚至超过金属铝(220W/(m.K)),与Lead Frame的铜(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的导热率才60 W/(m.K)左右,典型厚度在50-100um,所占整个器件内部Rth(j-c)热阻之权重,是不言而喻的。
善仁新材的GVF9700无压预烧结焊盘和GVF9800有压预烧结焊盘,为客户带来多重便利,包括无需印刷、点胶或干燥,GVF预烧结银焊片工艺(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)可以将铜键合线和烧结工艺很好结合在一起,同时具有较高的灵活性,可以同时让多个键合线连接在预烧结焊盘上来进行顶部连接。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)不仅能显著提高芯片连接的导电性、导热性,以及芯片连接的可靠性,并对整个模块的性能进行优化,还能帮助客户提高生产率,降低芯片的破损率,加速新一代电力电子模块的上市时间。
使用了GVF预烧结银焊片使器件结温可以超过200°C。因此,GVF预烧结银焊片可以大幅降低功率限额,或者在确保电流相同的情况下缩小芯片尺寸,从而降低电力成本。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)和金,银,铜表面剪切强度都很大。
在能源效率新时代,SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景,接下来将逐步打开更大的发展空间。
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