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面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
无压烧结银工艺和有压烧结银工艺流程区别
如何降低纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率成为目前研究的重要内容。
烧结银的烧结工艺流程就显得尤为重要了。善仁新材研究院根据客户的使用情况，总结出烧结银的工艺流程供大家参考：
二 AS9385加压烧结银工艺流程：
1 清洁粘结界面
2 界面表面能太低，建议增加界面表面能
3 粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽
4 一个界面涂布烧结银时，涂布的要均匀
5 另外一个界面放烧结银上时，建议加一点压力到上界面压一下
6 预烘阶段：150度20-30分钟，界面是铜的基底建议氮气保护（金或者银除外）
7 预压阶段：150度加压0.5-1MPa，时间为：1-3秒；
8 本压阶段：220-280度加压10-30MPa，时间2-6分钟；
9 烧结结束时，建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。
三 其他建议：
善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现：随烧结温度升高和压力加大，烧结体密度和硬度逐渐增大，尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间，增大的趋势更加明显；与此同时，烧结温度越高，烧结银块体的热导率也跟着增大，280℃烧结银的热导率已达到276W/(m·K)。
5导电性不同：无压烧结银的体积电阻一般会在10-6Ω.CM级别，AS9375可以达到4*10-610-6Ω.CM，只比纯银的导电性低60%；而普通导电银胶的导电性一般会在10-4Ω.CM级别。
6 粘结器件不同：烧结银一般粘结大功率器件，比如第三代半导体，大功率LED，射频器件等；导电银胶粘结普通的代集成电路封装，对导电导热效果要求不高的界面等。
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