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面向地区 |
全国 |
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PEVCD镀膜:利用非晶硅的短话效果在硅片表面沉积本征非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜,从而形成PN结。工艺过程主要采用RF电源将硅烷(SiH)、氢气(H)等其他工艺气体激发为等离子体态,并相互反应,终以薄膜形式沉积在硅片表面;
PVD镀膜:电池表面沉积TCO透明导电氧化薄膜起到减反和导电作用;工艺过程主要利用磁控溅射原理,将TCO材料以薄膜形式沉积到电池表面,实现导电、减反和保护非晶硅薄膜的作用;
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