关键词 |
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面向地区 |
全国 |
粘合材料类型 |
金属类 |
无压烧结银工艺和有压烧结银工艺流程区别
如何降低纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率成为目前研究的重要内容。
二 AS9385加压烧结银工艺流程:
1 清洁粘结界面
2 界面表面能太低,建议增加界面表面能
3 粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽
4 一个界面涂布烧结银时,涂布的要均匀
5 另外一个界面放烧结银上时,建议加一点压力到上界面压一下
6 预烘阶段:150度20-30分钟,界面是铜的基底建议氮气保护(金或者银除外)
7 预压阶段:150度加压0.5-1MPa,时间为:1-3秒;
8 本压阶段:220-280度加压10-30MPa,时间2-6分钟;
9 烧结结束时,建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。
三 其他建议:
善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现:随烧结温度升高和压力加大,烧结体密度和硬度逐渐增大,尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间,增大的趋势更加明显;与此同时,烧结温度越高,烧结银块体的热导率也跟着增大,280℃烧结银的热导率已达到276W/(m·K)。
4 导热系数不同:无压烧结银导热系数很轻松的可以达到导热系数大于100W/m.K,而普通导电银胶的导热系数有的没有导热性,有的导热系数会在几W,据笔者所知,导电银胶的导热系数达到20多W就算很高了。
6 粘结器件不同:烧结银一般粘结大功率器件,比如第三代半导体,大功率LED,射频器件等;导电银胶粘结普通的代集成电路封装,对导电导热效果要求不高的界面等。
对于第三代半导体封装,射频器件,功率器件,大功率芯片封装来说,善仁新材的无压烧结银AS9375表现出了传统解决方案所没有的优势。
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