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株洲高可靠SiC碳化硅烧结银膏性能可靠

更新时间:2024-05-16 03:51:32 编号:ca1qphkou8856e
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  • SiC碳化硅烧结银膏,宽禁带半导体烧结银,SiC烧结银,碳化硅烧结银

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刘志

13611616628

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产品详情

关键词
SiC碳化硅烧结银膏
面向地区
全国
粘合材料类型
金属类

株洲高可靠SiC碳化硅烧结银膏性能可靠

由于现有封装技术的限制,特别是芯片与基板的互连技术,例如银浆、聚合物材料,软钎焊等互连技术由于焊料合金的低熔点、环氧树脂的低温分解等原因,使其不能在高温环境下可靠工作,导致限制电力电子系统性能和可靠性的瓶颈从半导体芯片转移到了封装技术上来。

② 进行预加热干燥,用于排除烧结银中的有机气体等挥发物,然后在高温下进行无压或压力辅助烧结,主要烧结工艺参数有:升温速率、烧结温度、烧结压强、烧结时间和气体环境等;

纳米烧结银互连层的工艺改进
善仁新材研究院比较了加压微米烧结银和无外加压力纳米烧结银,通过实验发现纳米尺度下的银具有比微米尺度下更高的烧结驱动力,避免了压力烧结条件下对芯片和基板中造成缺陷和裂纹等现象,并发现了烧结温度和烧结压强的增加会降低烧结银的孔隙大小,AS9375无压烧结银的纳米银互连层的结合强度可达45MPa。

纳米烧结银互连层的孔隙研究
善仁公司统计了在不同时间和温度下孔隙率情况。发现孔隙率的大小和芯片的大小有很大的关系,采用无压纳米烧结银AS9375封装5*5mm的小芯片,几乎无孔隙。对于大于5*5mm的芯片,空隙率会在3-8%之间。孔隙主要由小孔和中孔组成,在250℃烧结时,空隙会很少。

善仁新材研究院通过各种测试得知:纳米烧结银的互连层的空隙大小和空隙率高低和烧结温度,升温速率,保温时间等有密切的关系。

纳米烧结银互连层的蠕变性能
善仁研究院通过实验发现:蠕变应力指数以及激活能分别与环境温度和加载应力的关系很大,建议客户根据自己芯片的大小和界面的镀层材料选择适合的烧结温度和是否加压。

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详细资料

主营行业:导电银浆
公司主营:烧结银,纳米银浆,导电银胶,导电油墨
主营地区:中国
企业类型:股份合作企业
注册资金:人民币6600万
公司成立时间:2016-09-01
员工人数:11 - 50 人
研发部门人数:5 - 10 人
经营模式:生产型
经营期限:2016-01-01 至 2051-01-01
最近年检时间:2021年
品牌名称:AS
主要客户群:4C电子,新能源
年营业额:人民币 5000 万元/年 - 1 亿元/年
年出口额:人民币 3000 万元/年 - 5000 万元/年
年进口额:人民币 200 万元/年 - 300 万元/年
经营范围:导电银胶、导电银浆,低温烧结银,纳米银墨水,纳米银浆,纳米银胶,纳米银膏,可焊接低温银浆,可拉伸导电油墨,透明导电油墨,异方性导电胶,电磁屏蔽胶,导热胶,特种电子胶水等产品。
厂房面积:2000平方米
月产量:30000千克
是否提供OEM:
质量控制:内部
公司邮编:314117
公司传真:021-34083382
公司邮箱:future@sharex.xin
公司网站:sharex.xin
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