7*7烧结银芯片顶部烧结银上海烧结银

来源：善仁（浙江）新材料科技有限公司 时间：2025-02-02 14:41:57 [举报]

大面积无压烧结银的主要成分：纳米银粉、有机载体等，可以栽无压的条件下焊接10mm*10mm的大芯片，也可以焊接更大面积的芯片。

大面积烧结银的导热系数为： 200W/m·K， （激光闪射法）；剪切强度为60 (MPa) 5*5mm （金-金，25℃）。

大面积烧结银的烘烤曲线
1）从室温升温至 80℃，升温速率 3℃/min。在 80℃保温 40 分钟；
2）从 80℃升温至 130℃，升温速率 3℃/min。在 130℃保温 40 分钟；
3）从 130℃升温至 200℃，升温速率 5℃/min。在 200℃保温 120 分钟；
4）降温时间 60

大面积烧结银适用芯片尺寸≦8×8mm；
5. 对于芯片尺寸≦4×4mm，湿胶厚度 50-80μm；芯片尺寸 5×5 ~ 8×8mm，湿胶厚度 90-120μm。

大面积烧结银AS9378的 施工环境和用具、被粘物品等需保持充分干燥；
4. 使用时需佩戴手套，如沾到皮肤上可用肥皂水清洗干净

由于大面积烧结银的的使用条件不在我们的控制范围之内，而且应用十分广泛，因此以下声明将代替所有的明确或暗示的担保（包括对产品性能或适用某一特殊用途的担保）：

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